MOSFET产品分为Nch与Pch两种，而高效率的Nch应用更为普遍，但在高边使用Nch MOSFET时，需要栅极电压高于输入电压，因此就存在电路结构变得更复杂的问题。而使用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电压进行驱动，因此可简化电路结构，同时还有助于减轻设计负担。

除此以外，罗姆君选取了研讨会中一些有代表性的提问在这里与大家分享，供大家回顾。 罗姆最新一代PMOS采用第5代微细工艺，可使新产品的栅极沟槽结构比以往缩小75%，成功提高了电流密度，最终实现了业界超低A・Ron（单位面积的导通电阻）值。 今天主要 ...