IEEE29 天
High-Yield Enhancement-Mode GaN p-FET With Etching-Target Layer and High-Selectivity ...
Persistent Link: https://ieeexplore.ieee.org/servlet/opac?punumber=16 ...
IEEE29 天
Characterization of Silicon Carbide Low-Voltage n/p-channel MOSFETs at High Temperatures
Abstract: SiC-based n-channel and p-channel MOSFETs fabricated by Fraunhofer IISB SiC CMOS technology are characterized from room temperature up to 300° C. The behaviors of these low voltage devices ...
eeworld.com.cn5 天
用于高功率因数和有源谐波滤波器的 TDA 4862 功率因数控制器 (PFC) IC ...
使用 Infineon Technologies AG 的 TDA 4862 的参考设计 欢迎加入EEWorld参考设计群，也许能碰到搞同一个设计的小伙伴，群聊设计经验和难点。 入群方式：微信搜索“helloeeworld”或者扫描二维码，备注：参考设计，即可被拉入群。 另外，如您在下载此设计遇到问题，也 ...