该专利的申请日期为2020年11月，标志着华羿微电子在半导体领域的技术创新迈出了重要一步。 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种广泛应用于电子设备中的场效应晶体管，因其具有良好的开关特性和低功耗而被广泛应用于功率放大器和数字电路。

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为现代电子设备中重要的半导体器件之一，广泛应用于开关和放大电路中，其性能和可靠性直接影响到电力系统、通信、计算机等多个领域。 此次华羿微电子的专利将为传统MOSFET技术带来新一轮的技术迭代。

KIT8020-CRD-5FF0917P-2，评估板用于演示采用 TO-247-4 封装的第三代 (C3M) 碳化硅(SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 的高速开关性能。 KIT8020-CRD-5FF0917P-2 评估板采用带有两个 Cree SiC MOSFET (C3M0075120K) 的基本半桥电路配置。该评估板可配置为同步升压、同步降压、逆 ...

研究成果“动态裸金属界面使镁在50 mAh cm-2下实现可逆电沉积（A dynamically bare metal interface enables reversible magnesium electrodeposition at 50 mAh cm-2）”于12月6日发表在期刊《焦耳》（Joule）上。 电池有三个主要部分：阴极（电池的正极）、阳极（电池的负极）和一种称为 ...