综上，建议您下载PDF文件后，选择专业的打印服务以获得最佳打印效果。 About 复旦大学2024秋季学期《半导体器件原理》（MICR130028）期末小抄。范围：第三章《场效应晶体管基础》至第四章《小尺寸MOSFET》 ...

SiC的特定特性要求对MOSFET器件和栅极驱动电路进行仔细选择，以确保安全地满足应用需求，并尽可能提高效率。在本文中，我们将讨论为SiC MOSFET选择栅极驱动器时应考虑的标准。 硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断 ...

华中科技大学这一成果实现了国际上首个基于三维集成阻变存储器阵列的浮点精度存算一体系统，为实现高能效、高精度的AI-for-Science计算应用提供了重要方案。华中科技大学集成电路学院2019级博士生李健聪 (已毕业入站从事博士后研究)和2020级博士生任升广为论文共同第一作者，李祎教授、何毓辉教授和缪向水教授为论文共同通讯作者。华中科技大学是论文唯一完成单位。

新浪数码讯 12月19日上午消息，苹果公司正在调查富士康（Foxconn）部分管理人员的一种涉嫌规模欺诈案，这些人员采用不合格的iPhone部件组装iPhone出售，三年时间里涉案金额达到了令人难以置信的13亿新台币（约合4300万美元）。