电源供应器 (PSU)还必须满足数据中心行业的特定需求。人工智能数据中心的PSU应满足严格的Open Rack V3 (ORV3) 基本规范，要求30%到100%负载下的峰值效率达到97.5%以上，并且10%到30%负载下的最低效率达到94%。

2024 年 12 月 30 日讯，芝加哥— Littelfuse 公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司 今日宣布推出 TPSMB 非对称 TVS ...

一、农业自动喷洒系统的定义和类型 ...

依托电动化迅速成长起来的供应链，中国车企开始迅速向电动化转型。截至去年底，全国398家整车厂中，有278家设有新能源产线。中国新势力破产是因为车卖不出去，美国新势力破产是因为车造不出来。

2024年12月23日，厦门启航氢能技术有限公司申请了一项新的专利，名为“一种三相电流源型整流器及其调制方法、高效整流电路”，其公开号为CN119154695A，申请时间为2024年10月。这项专利的核心在于创新性地将传统三相电流源型整流器中的二极管 ...

2024年12月24日，湖南三安半导体有限责任公司宣布获得一项关于MOSFET器件的制备方法专利，专利号CN113594041B，此项申请始于2021年7月。这一技术进步预示着将为半导体行业乃至智能设备市场带来新的变革。MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电子设备的核心元件，其性能直接影响到智能设备的功耗、热管理及整体效率。随着电子产品对高效能及节能特性的需求日增，三安半导体的这项 ...

国际电子商情指出，中国作为全球电池供应链的主导者，控制着全球近85%的电池产能。此次技术出口限制的加强，将进一步巩固中国在全球电池产业中的地位，同时也是对美国技术管制措施的回应，显示中国在维护国家经济技术权益方面的坚定立场。

自从1960年MOSFET在贝尔实验室诞生之后，MOSFET以来经历了多次工艺革新，从基本结构到材料、工艺技术的发展，推动了现代电子产业的进步。下面的表格总结了MOSFET从诞生以后的关键工艺革新： 那么MOSFET经历了这么多代的工艺技术革新，有没有哪一代工艺消除掉 ...

预计此交易可在6-9个月内完成。 国际电子商情3日讯 ...

上一篇文章我们介绍了MOSFET体二极管的关键参数以及电路设计关注点，其中Diode continuous forward current：体二极管连续正向电流这一参数，最大高达175A，如果是真的，那这个数据已经很牛了，但是规格书这个参数有个角标 ...

去饱和保护功能提供对外部功率开关二极体的超载和短路保护，透过使用外部电阻调整功率开关二极体的关断策略，调整关断速度以最大限度地提升保护功能，同时避免出现过多的过压尖峰。欠压锁定保护可防止驱动电压不足时导通。

1月2日，南京召开全市科技大会暨产业科技创新工作推进会。大会汇集政产学研金各方力量，坚持一张蓝图绘到底，推动科技创新与产业创新深度融合，因地制宜发展新质生产力，共同塑造南京发展新动能新优势。紧接着，全市教育大会召开，分析研究我市教育工作面临的新形势新 ...