另外，铠侠还宣布开发出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半导体晶体管DRAM）技术，这是一种新型4F² DRAM，由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术采用InGaZnO（铟镓锌氧化物）晶体管，可将漏电率降低到极低水平 ...

还好，对着板书，能猜出个七七八八。 在那个视频中，up主简单的提了一下，MOS管的两个效应，即分别是Body Effect和Channel-Length Modulation。 对于Body Effect，在选择Vth的时候，稍稍选的大了一点。 对于Channel-length Modulation，则把管子的沟道长度选大了，虽然用的工艺 ...

一、N型MOS管的工作原理 NMOS全称为N型金属-氧化物-半导体 ... 二、为什么PMOS的闪烁噪声低于NMOS 首先，闪烁噪声是指当MOSFET在静态或动态偏置下运行时由热噪声产生的频谱噪声。它的特征是随机性和高度非线性的频谱特性，同时它也是电子模拟和数字电路设计 ...