综上，建议您下载PDF文件后，选择专业的打印服务以获得最佳打印效果。 About 复旦大学2024秋季学期《半导体器件原理》（MICR130028）期末小抄。范围：第三章《场效应晶体管基础》至第四章《小尺寸MOSFET》 ...

自从1960年MOSFET在贝尔实验室诞生之后，MOSFET以来经历了多次工艺革新，从基本结构到材料、工艺技术的发展，推动了现代电子产业的进步。下面的表格总结了MOSFET从诞生以后的关键工艺革新： 那么MOSFET经历了这么多代的工艺技术革新，有没有哪一代工艺消除掉 ...

然而，图腾柱PFC在提高效率和功率密度的同时，也面临着电磁干扰问题。其中，共模噪声是该拓朴的主要干扰源。通常是由功率组件的高速切换产生的高频噪声，这种噪声可以透过寄生电容耦合到框架接地 (frame ground, FG)，从而产生共模噪声。

华中科技大学这一成果实现了国际上首个基于三维集成阻变存储器阵列的浮点精度存算一体系统，为实现高能效、高精度的AI-for-Science计算应用提供了重要方案。华中科技大学集成电路学院2019级博士生李健聪 (已毕业入站从事博士后研究)和2020级博士生任升广为论文共同第一作者，李祎教授、何毓辉教授和缪向水教授为论文共同通讯作者。华中科技大学是论文唯一完成单位。

而且，尽管iPhone卖得越来越贵，但从2019年Q1开始，它对苹果总营收的贡献一直在缩小。从数据层面来说，iPhone在2019财年前三财季的营收分别同比下滑15%、17%、13%；其中，在2019年Q2，iPhone的营收实现了自2012年以来首次低于总营收的50%。

新浪数码讯 12月19日上午消息，苹果公司正在调查富士康（Foxconn）部分管理人员的一种涉嫌规模欺诈案，这些人员采用不合格的iPhone部件组装iPhone出售，三年时间里涉案金额达到了令人难以置信的13亿新台币（约合4300万美元）。