Les musées et les galeries d'art parisiennes nous proposent de nombreuses expositions autour de la mode cette année. Entre figures de légendes et créateurs contemporains, on en prend plein les ...

La structure d’un IGBT est basée sur celle d’un MOSFET vertical doublement diffusé [10] : l’épaisseur du support ... On trouve également des transistors dénommés DS-IGBT (pour Depletion Stop IGBT), ou ...

Ces deux dernières saisons, une tendance nous a sautés aux yeux : la mode revient au concept de l'élégance, à travers des pièces parfaitement coupées, qui forment le style néo-bourgeois. Tous les ...

自从1960年MOSFET在贝尔实验室诞生之后，MOSFET以来经历了多次工艺革新，从基本结构到材料、工艺技术的发展，推动了现代电子产业的进步。下面的表格总结了MOSFET从诞生以后的关键工艺革新： 那么MOSFET经历了这么多代的工艺技术革新，有没有哪一代工艺消除掉 ...

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Plus qu'un style à part entière, la mode des années 2000, c'est avant tout une façon d'accorder et de mixer les pièces de son dressing. C'est, par exemple, porter sa mini robe d'été sur un ...